Главная »

Выберите необходимый тип продукции,
чтобы ознакомиться с ассортиментом

Эта категория включает в себя ключевые газы для производства полупроводников и микроэлектроники. Они служат основными источниками кремния для создания тонких пленок на кремниевых пластинах в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD).

Основной газ для нанесения слоев поликристаллического и аморфного кремния.

Специально подготовленные смеси для точного контроля свойств осаждаемых пленок.

Применяются для эпитаксиального роста кремниевых слоев и получения высокочистого поликремния.

Дихлорсилан (SiH2Cl2), Трихлорсилан (SiHCl3), Тетрахлорид кремния (SiCl4)

Основной газ для нанесения слоев поликристаллического и аморфного кремния.

Кислоты высокой чистоты — основа процессов "мокрой" химической обработки в микроэлектронике. Они используются для очистки, травления и удаления фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин.

Ключевой реагент для травления диоксида кремния.

Применяются в различных травильных растворах и для удаления органических и неорганических загрязнений.

Это газы, используемые для специфических технологических операций, таких как легирование, травление или формирование определенных слоев.

Основной газ для нанесения слоев поликристаллического и аморфного кремния.

Применяются в процессах осаждения и для создания оксинитридных пленок.

Используется в качестве восстановителя, для очистки поверхностей и как газ-носитель в процессах эпитаксии.

Необходим для процессов окисления, например, для выращивания высококачественных слоев диоксида кремния.

Эти газы обладают уникальными физическими свойствами, что делает их незаменимыми в узкоспециализированных применениях, от осветительной техники до ионного травления.

Используются в эксимерных лазерах для фотолитографии, в плазменных панелях и для ионного распыления в процессах травления.

Являются полупроводниковыми материалами. Их летучие соединения (например, герман GeH4) используются для легирования и создания сложных полупроводниковых структур, таких как SiGe.

Инертные газы высокой степени чистоты (часто 99.999% и выше) необходимы для создания стабильной и нереактивной среды в производственных камерах. Они предотвращают окисление и другие нежелательные химические реакции.

Используются в качестве газов-носителей для транспортировки других химических веществ, для продувки систем, а также в процессах плазменного травления и напыления.

Эти агрессивные газы применяются для легирования (изменения проводимости) полупроводников и для плазменного травления — процесса "сухого" удаления материалов с поверхности пластины.

Основной источник фосфора для n-типа легирования кремния.

Эффективные газы для плазменной очистки производственных камер и для травления кремния и других материалов.

Используется для осаждения пленок вольфрама, которые применяются в качестве межсоединений в интегральных схемах.

Индивидуальный запрос

Мы понимаем, что каждый клиент может иметь уникальные потребности, связанные с конкретными технологическими процессами или производственными задачами. Поэтому предлагаем разработку и поставку специализированной продукции под индивидуальный запрос.

Это включает в себя создание газовых смесей с точным составом, химических растворов с определенными характеристиками или материалов с заданными параметрами чистоты и свойств.

Наша команда готова сотрудничать с вами для подбора оптимального решения, будь то адаптация существующих продуктов или разработка новых составов для специфических применений в микроэлектронике, полупроводниковой промышленности или других высокотехнологичных областях.

Запросить КП или получить
бесплатную консультацию

Меню

Документы

Контакты

+375 (29) 332-92-90

info@megaklit.by

sales@megaklit.by